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Silicon Power SP004GBSFU266X02 - 4 GB - 1 x 4 GB - DDR4 - 2666 MHz - 260-pin SO-DIMM

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Verfügbar: Nicht verfügbar
Hersteller: Silicon Power

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SODIMM non-ECC - 2666MHz - CL19 - 1.2V - 4GB
  • Marke
  • Effektiver Speichertakt
  • Speicherkapazität
  • Speichermodul-Bauform

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Marke: Silicon Power
Effektiver Speichertakt: 2.666MHz
Speicherkapazität: 4GB
Speichermodul-Bauform: SO-DIMM

Geschäftsbedingungen
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Silicon Power SP004GBSFU266X02 - 4 GB - 1 x 4 GB - DDR4 - 2666 MHz - 260-pin SO-DIMM
Silicon Power SP004GBSFU266X02. Komponente für: Notebook, RAM-Speicher: 4 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 4 GB, Interner Speichertyp: DDR4, Speichertaktfrequenz: 2666 MHz, Memory Formfaktor: 260-pin SO-DIMM, CAS Latenz: 19
Allgemein
Komponente für
Notebook
RAM-Speicher
4 GB
Speicherlayout (Module x Größe)
1 x 4 GB
Interner Speichertyp
DDR4
Speichertaktfrequenz
2666 MHz
Memory Formfaktor
260-pin SO-DIMM
CAS Latenz
19

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